30W 50V GaN HEMT RF PA Leistungsverstärker RF-Leistungstransistor für 5700- 5900MHz

Der YP40601625T ist ein 30 Watt starker, intern abgestimmter GaN HEMT, der für mehrere Anwendungen mit Frequenzen von 4000 bis 6000 MHz, insbesondere 5700- 5900 MHz, entwickelt wurde.Die Leistung ist garantiert für Anwendungen, die in den genannten Frequenzen betrieben werden.. Typische Leistung (auf der Innotion-Anlage): VDD = 50 Volt, IDQ = 110 mA, CW, Psat>30W

Anwendungen und Merkmale

• Geeignet für drahtlose Kommunikationsinfrastruktur, kommerzielles Radar, Breitbandverstärker, Jammer, EMC-Testing, ISM usw.
• Hohe Effizienz und lineare Gewinnoperationen
• Wärmeverstärkte Industrie-Standardpakete
• Hochverlässlicher Metallisierungsprozess
• Ausgezeichnete thermische Stabilität und ausgezeichnete Härte
• Einheitliche Anlage für die Anpassung an die Anforderungen der Richtlinie 2002/95/EG.VGS auf die Spannung "Pinch-Off" (VP) setzen, typischerweise 5 V 2. Schalten Sie VDS auf die Nennversorgungsspannung (50 V) ein 3. Erhöhen Sie die VGS, bis der IDS-Strom erreicht ist 4. Wenden Sie die HF-Eingangsleistung auf das gewünschte Niveau an 1. Schalten Sie das Gerät aus.Verringern Sie das VGS auf VP, typischerweise 5 V 3. Reduzieren Sie den VDS auf 0 V 4. Schalten Sie den VGS aus

Wichtige Anmerkung: Richtige Biasingsequenz für GaN HEMT-Transistoren

Das Gerät einschalten

1.VGS auf die Spannung "Pinch-Off" (VP) setzen, typischerweise 5 V

2.VDS auf Nennspannung (50 V) einschalten

3.VGS erhöhen, bis der IDS-Strom erreicht ist

4.Radiofrequenz-Eingangsleistung auf gewünschtes Niveau anwenden

Das Gerät ausschalten

1- Schalten Sie die HF-Leistung aus.

2.VGS auf VP reduzieren, typischerweise 5 V

3.VDS auf 0 V reduzieren 4. VGS ausschalten